Вплив концентрації гідроген пероксиду на травлення монокристалів Cd1-xMnxTe розчинами Н2О2–НІ–тартратна кислота

  • Z. F. Tomashik Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
  • R. O. Denysyuk Житомирський державний університет ім. Івана Франка
  • V. M. Tomashik Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
  • O. S. Сhernyuk Житомирський державний університет ім. Івана Франка
  • V. I. Grytsiv Житомирський державний університет ім. Івана Франка
  • L. I. Trishchuk Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Анотація

Досліджено процеси хімічного травлення монокристалів CdTe і твердих розчинів
Cd1-xMnxTe (0,3< х <0,5) йодвиділяючими травильними композиціями H2O2–HI–тартратна кислота з використанням H2O2 різної концентрації. Побудовані концентраційні та кінетичні залежності швидкості травлення і показано, що із збільшенням вмісту Mn в складі твердих розчинів швидкості їх травлення зростають і покращується якість оброблюваної поверхні. Оптимізовано склади травників та режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів Cd1-x MnxTe.

Посилання

Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Полирующее травление полупроводниковых соедине­ний типа AIIBVI // Неорган. материалы. – 1997. – Т. 33. № 12. – C. 1451 – 1455.

Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – С. 5 – 29.

Стан поверхні телуриду кадмію після різних способів обробки / Я.Д. Захарук, І.М. Раренко, О.М. Крилюк, С.Г. Дремлюженко, Ю.П. Стецько // Укр. хім. журн. – 2000. – Т. 66. № 12. – С. 31 – 34.

Дослідження поверхні і границі розділу структур, сформованих на Cd1-xZnxTe і

Cd1-xMnxTe лазерною проплавкою / О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, Я.Д. Захарук, А.І. Раренко, Є.В. Рибак, В.М. Стребежев // Фізика і хімія твердого тіла – 2003. – Т. 54. № 6. – С. 945 – 949.

Томашик З.Ф., Гуменюк О.Р., Томашик В.Н. Химическое травление теллурида кад­мия и твердых растворов на его основе в йодметанольных травильных композициях // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т. 4. № 2. – С. 159 – 161.

Особенности растворения CdTe и твердых растворов ZnxCd1-xTe и CdxHg1-xTe в травильных смесях системы I2–диметилформамид / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Журн. неорган. химии. – 2004. – Т. 49. № 10. – С. 1750 – 1754.

Химическое травление монокристаллов Cd1-xMnxTe растворами иода в метаноле / З.Ф. Томашик, Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, А.С. Чернюк, И.М. Раренко // Журн. неорган. химии – 2009. –Т. 54, № 6. – С. 945 – 949.

Хімічна взаємодія монокристалів Cd1-xMnxTe з розчинами йоду в диметилформаміді / З.Ф. Томашик, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, О.С. Чернюк, І.І. Гнатів, І.М. Раренко // Вопросы химии и химической технологии. – 2008. – № 5. – C. 104 – 107.

Гуменюк О.Р., Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Химическое травление CdTe и твердых растворов на его основе в растворах системы Н2О2–НІ // Оптоэлектроника и полу­проводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 147 – 149.

Химическое травление твердых растворов CdxHg1-xTe в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2–HI / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, Ф.Ф. Си­зов // Прикладная физика. – 2005. – № 1. – С. 106 – 109.

Хіміко-динамічне полірування монокристалів CdTe та Cd1-xZnxTe травниками H2O2–HI–оксалатна кислота / З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, В.М. Томашик, О.Р. Гуменюк // Вопросы химии и хим. технологии. – 2007. – № 6. – С. 55 – 58.

Tomashik Z.F., Gumenyuk O.R., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and

CdxHg1-xTe in H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Proceeding of SPIE. – 2003. – V. 5065. – P. 241 – 245.

Gumenyuk O.R., Tomashik Z.F., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and

Cd1-xZnxTe solid solutions in the H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4. № 1. – С. 127 – 132.

Компенсационный эффект в кинетике химического взаимодейсвия CdTe с раство­рами системы Н2О2–НІ–молочная кислота / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Тома­шик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т .4, № 3. – С. 242 – 246.

Химическое растворение нелегированного и легированного CdTe в иодвыделяющих растворах на основе системы Н2О2–НІ / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2003. – Т. 5, № 3. – С. 248 – 252.

Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2–HI–citric acid etchant compositions / R.O. Denysyuk, V.M. Tomashik, Z.F. To­mashik, O.S. Chernyuk, V.I. Grytsiv // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2009. – V. 12, № 2. – Р. 125 – 128.

Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А Свердлин, К.Г Марин. – М.: Радио и связь, 1982 – 136 с.

Опубліковано
2018-08-02
Як цитувати
Tomashik, Z. F., Denysyuk, R. O., Tomashik, V. M., СhernyukO. S., Grytsiv, V. I., & Trishchuk, L. I. (2018). Вплив концентрації гідроген пероксиду на травлення монокристалів Cd1-xMnxTe розчинами Н2О2–НІ–тартратна кислота. Поверхня, (15), 43-50. вилучено із http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/326
Розділ
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні.