Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles

  • L. G. Ilchenko Інститут хімії поверхні НАН України
  • V. V. Lobanov Інститут хімії поверхні НАН України
  • A. A. Chuiko Інститут хімії поверхні НАН України

Анотація

<p>The structural component <em>&Delta;V<sub>st</sub>(r)&nbsp;</em>&nbsp;of the interaction potential&nbsp;&nbsp;<em>V(r)&nbsp;</em>&nbsp;in a vacuum inter-val dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically.</p>

<p>Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances L~3-20 &Aring; the superposition of the modulated part of the potential <em>&Delta;V<sub>st</sub>(r)&nbsp;</em>&nbsp;from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.</p>

Посилання

Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. - М.: Мир, 2002. - 292 с.

Химия поверхности кремнезема / Под ред. А.А. Чуйко – Киев: УкрИНТЭИ, 2001. - Ч. 1. ‑ 736 с.

Лобанов В.В., Чуйко А.А. Механизм диссоциативной хемосорбции воды на поверх-ности кремнезема // Автореф. Докл. 3-й Международ. конф. “Химия высокооргани-зованных веществ и научные основы нанотехнологии” - С.-Петербург, 2001. - С.48‑50.

Лобанов В.В., Горлов Ю.И. Чуйко А.А., Пинчук В.М., Синекоп Ю.С., Якименко Ю.И. Роль электростатических взаимодействий в адсорбции на поверхности твердых оксидов. - Киев.: ВЕК+, 1999. ‑240 с.

Ильченко Л.Г., Гречко Л.Г., Савон А.А. Пространственное распределение электроста-тического потенциала вблизи поверхности диэлектрика с модулированным поверхно-стным зарядом. 1. Атомарно-чистая поверхность диэлектрика // Укр. физ. журн.  ‑ 1993. – Т. 38, № 3. - С.415‑420.

Ильченко Л.Г., Савон А.А. Электростатический потенциальный рельеф поверхности диэлектриков с дискретным распределением заряда // Препр. ИТФ-92-27Р. - 1992. - 31 с.

Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the potential barrier between closely spaced metals. // Surf. Sci. - 2001. – V. 478, - P.169‑179.

Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Image potential between closely separated quantum size film and metal .// Ultramicroscopy. – 2003.V. 95. - P.67‑73.

Huang Z.-H., Weimer M., Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. - 1993.- V. 48, N 20. - P.15068-15076.

Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок // Физ. тверд. тела. - 2001. - V. 43, вып.12. - C.2230‑2236.

Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г. Сили зображення між близько розділеними діелектриками // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2003. - Вип. 9. - C.11‑17.

Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Теоретичне визначення потенціалу взаємодії між двома близько розділеними діелектриками у воді // Доп. НАН України. - 2005. - №. 1. - С.76‑81.

Smythe W.R. Static and Dynamic Electricity. – N. Y.: McGraw-Hill, 1953. - 625 p.

Il’chenko L.G., Il’chenko V.V., Goraychuk T.V., Rangelow I.W. Microscopic structure of the semiconductor surface in the external electric field // Chemistry, physics and technology of surfaces. - 2001. - N 4-6. - Р.186‑195.

Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Вплив мікроструктури поверхні на потенці-ал взаємодії між наночастинками діелектриків // Наносистеми, наноматеріали, нано-технології. - 2004 – Т. 2, вип. 4 - C.1145‑1158.

Inkson J. C. The electrostatic image potential in metal semiconductor junctions // J. Phys. C. - 1971. – V. 4, N 5. - P.591-597.

Jensen K.L. Improved Fowler-Nordheim equation for field emission from semiconductors // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. – V. 13, N 2. - P.516‑521.

Il’chenko L.G. Role of Microscopic Structure of the Surface in Field Emission from Semiconductors// 12th Intern. Vacuum Microelectronics Conf.(6-9 July 1999, Darmstadt, Germany): Technical Digest. – 1999. - P.84‑85.

Опубліковано
2006-06-20
Як цитувати
Ilchenko, L. G., Lobanov, V. V., & Chuiko, A. A. (2006). Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles. Поверхня, (11-12), 4-19. вилучено із http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/174
Розділ
Моделювання процесів на поверхні