Influence of the hydrogen peroxide concentration on the Cd1-xMnxTe single crystals etching by the solutions Н2О2–НІ–tartaric acid

  • Z. F. Tomashik Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
  • R. O. Denysyuk Ivan Franko Zhytomyr State University
  • V. M. Tomashik Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
  • O. S. Сhernyuk Ivan Franko Zhytomyr State University
  • V. I. Grytsiv Ivan Franko Zhytomyr State University
  • L. I. Trishchuk Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Abstract

Chemical etching of the CdTe and Cd1-xMnxTe (0,3< х <0,5) solid solutions single-crystals in the iodine emerging etchants H2O2–HI–tartaric acid with the using of the various concentration of H2O2 has been investigated. The concentration dependences of the crystal etching rate have been constructed. It was shown that Mn content increasing in the composition of the solid solutions leads to the increasing of the etching rate and to the treated surface quality amelioration. The etchant compositions and the chemical-dynamic polishing schedule of the Cd1-x MnxTe solid solutions have been optimized.

References

Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Полирующее травление полупроводниковых соедине­ний типа AIIBVI // Неорган. материалы. – 1997. – Т. 33. № 12. – C. 1451 – 1455.

Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – С. 5 – 29.

Стан поверхні телуриду кадмію після різних способів обробки / Я.Д. Захарук, І.М. Раренко, О.М. Крилюк, С.Г. Дремлюженко, Ю.П. Стецько // Укр. хім. журн. – 2000. – Т. 66. № 12. – С. 31 – 34.

Дослідження поверхні і границі розділу структур, сформованих на Cd1-xZnxTe і

Cd1-xMnxTe лазерною проплавкою / О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, Я.Д. Захарук, А.І. Раренко, Є.В. Рибак, В.М. Стребежев // Фізика і хімія твердого тіла – 2003. – Т. 54. № 6. – С. 945 – 949.

Томашик З.Ф., Гуменюк О.Р., Томашик В.Н. Химическое травление теллурида кад­мия и твердых растворов на его основе в йодметанольных травильных композициях // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т. 4. № 2. – С. 159 – 161.

Особенности растворения CdTe и твердых растворов ZnxCd1-xTe и CdxHg1-xTe в травильных смесях системы I2–диметилформамид / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Журн. неорган. химии. – 2004. – Т. 49. № 10. – С. 1750 – 1754.

Химическое травление монокристаллов Cd1-xMnxTe растворами иода в метаноле / З.Ф. Томашик, Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, А.С. Чернюк, И.М. Раренко // Журн. неорган. химии – 2009. –Т. 54, № 6. – С. 945 – 949.

Хімічна взаємодія монокристалів Cd1-xMnxTe з розчинами йоду в диметилформаміді / З.Ф. Томашик, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, О.С. Чернюк, І.І. Гнатів, І.М. Раренко // Вопросы химии и химической технологии. – 2008. – № 5. – C. 104 – 107.

Гуменюк О.Р., Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Химическое травление CdTe и твердых растворов на его основе в растворах системы Н2О2–НІ // Оптоэлектроника и полу­проводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 147 – 149.

Химическое травление твердых растворов CdxHg1-xTe в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2–HI / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, Ф.Ф. Си­зов // Прикладная физика. – 2005. – № 1. – С. 106 – 109.

Хіміко-динамічне полірування монокристалів CdTe та Cd1-xZnxTe травниками H2O2–HI–оксалатна кислота / З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, В.М. Томашик, О.Р. Гуменюк // Вопросы химии и хим. технологии. – 2007. – № 6. – С. 55 – 58.

Tomashik Z.F., Gumenyuk O.R., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and

CdxHg1-xTe in H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Proceeding of SPIE. – 2003. – V. 5065. – P. 241 – 245.

Gumenyuk O.R., Tomashik Z.F., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and

Cd1-xZnxTe solid solutions in the H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4. № 1. – С. 127 – 132.

Компенсационный эффект в кинетике химического взаимодейсвия CdTe с раство­рами системы Н2О2–НІ–молочная кислота / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Тома­шик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т .4, № 3. – С. 242 – 246.

Химическое растворение нелегированного и легированного CdTe в иодвыделяющих растворах на основе системы Н2О2–НІ / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2003. – Т. 5, № 3. – С. 248 – 252.

Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2–HI–citric acid etchant compositions / R.O. Denysyuk, V.M. Tomashik, Z.F. To­mashik, O.S. Chernyuk, V.I. Grytsiv // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2009. – V. 12, № 2. – Р. 125 – 128.

Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А Свердлин, К.Г Марин. – М.: Радио и связь, 1982 – 136 с.

Published
2018-08-02
How to Cite
Tomashik, Z. F., Denysyuk, R. O., Tomashik, V. M., СhernyukO. S., Grytsiv, V. I., & Trishchuk, L. I. (2018). Influence of the hydrogen peroxide concentration on the Cd1-xMnxTe single crystals etching by the solutions Н2О2–НІ–tartaric acid. Surface, (15), 43-50. Retrieved from http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/326
Section
Theory of surface chemical structure and reactivity.