Синтез наноструктур з кристалічного оксиду цинку

  • P. P. Gorbyk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • I. V. Dubrovin Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • Yu. O. Demchenko Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • G. M. Kashun Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • Yu. M. Lytvyn Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лошкарьова Национальної академії наук України

Анотація

Запропоновано методику синтезу нанорозмірних структур з віскерів і тетраедральних кристалів оксиду цинку. Синтез здійснювався в газовому потоці, а як ініціатор росту, що забезпечував задану густину центрів кристалізації на підкладинці з монокристалічного кремнію, використовували нанорозмірні частинки золота. Дослідження синтезованих ниткоподібних і тетраедральних структур методами рентгенофазового аналізу, растрової електронної мікроскопії, оже-електронної спектроскопії та атомної силової мікроскопії показали, що вони мають хімічний склад оксиду цинку високої чистоти, малу кількість дефектів, гексагональну вюрцитну структуру, характерну товщину в діапазоні 50–300 нм і довжину до 40 мкм і є перспективним об'єктом для різних областей застосування в мікроелектроніці, оптоелектроніці, біомедицині і т.п.

Посилання

Zheng G., Lu W., Jin S., Lieber C.M. Synthesis and fabrication of high-performance N-type silicon nanowire transistors // Adv. Mater. – 2004. – V. 16, N. 21. – P. 1890–1893.

Greytak A.B., Lauhon L.J., Gudiksen M.S., Lieber C.M. Growth and transport properties of complementary germanium nanowire field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. – 2004. – V. 84. – P. 4176–4178.

Björk M.T., Ohlsson B.J., Sass T., Persson A.I., Thelander C., Magnusson M.H., Deppert K., Wallenberg L.R., Samuelson L. One-dimensional heterostructures in semiconductor nanowhiskers // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P. 1058–1060.

Cui Y., Lieber C.M. Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks // Science. – 2001. – V. 291. – P. 851–853.

Gradecak S.,  Quin F.,  Li Y.,  Park H.-G., Lieber C.M. GaN nanowire lasers with low lasing thresholds // Appl. Phys. Lett. – 2005. – V. 87, N 17. – P. 173111–173114.

Bryllert T., Wernersson L.-E., Froberg L.E., Samuelson L. Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor // IEEE Electron Device Lett. – 2006. – V. 27, N 5. – P. 323–325.

Patolsky E., Zheng G., Hayden O., Lakadamyali M., Zhuang X., Lieber C.M. Electrical detection of single viruses // Proc. Nat. Acad. Sci. USA. – 2004. – V. 101. – P. 14017–14022.

Friedman R.S., McAlpine M.C., Ricketts D.S., Ham D., Lieber C.M. High-speed integrated nanowire circuits // Nature. – 2005. – V. 434. – P. 1085–1091.

Huang Y., Lieber C.M. Integrated nanoscale electronics and optoelectronics: Exploring nanoscale science and technology through semiconductor nanowires // Pure Appl. Chem. – 2004. – V. 76, N 12. – P. 2051–2068.

Whang D., Jin S., Lieber C.M. Large-scale hierarchical organization of nanowires for functional nanosystems // Jap. J. Appl. Phys. – 2004. – V. 43. – P. 4465–4470.

Горбик П.П., Дадыкин А.А., Дубровин И.В., Филоненко М.Н. Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка // Химия, физика и технология поверхности. – 2006. – Вып. 11–12. – С. 261–270.

Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые материалы в современном этапе развития твердотельной электроники // Неорган. материалы. – 2000. – Т. 36, №3. – С. 360–368.

Атаев Б.М., Камилов И.К., Мамедов В.В. Нитевидные кристаллы оксида цинка // Письма в журн. техн. физики. – 2002. – Т. 23, № 21. – С. 58–63.

Wang Z.L. Zinc oxide nanostructures: growth, properties and applications // J. Phys. Condensed Matter. – 2004. – N 16. – P. R829–R858.

Xu C.X., Sun X.W., Chen B.J., Dong Z.L., Yu M.B., Zhang X.H., Chua S.J. Network array of zinc oxide whiskers // Nanotechnology. – 2005. – N 16. – P. 70–73.

Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Баришков В.Г., Теруков Е.И. Газофазный синтез структур ZnO // Письма в Журн. техн. физики. – 2002. – Т. 28, № 22. – С. 59–63.

Dadykin A.A., Naumovets A.G., Gorbik P.P., Dubrovin I.V., Ogenko V.M., Filonenko M.N. Low–field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides and chalcogenides // Chemistry, Physics and Technology of Surfaces: – 2002. – Iss. 7–8. – Р. 163–176.

Горбик П.П., Дадыкин А.А, Дубровин И.В., Литвин Ю.М., Филоненко М.Н., Чуйко А.А. Полева электронная эмиссия из квантоворазмерных нанокластеров оксида цинка, синтезированных на фосфиде галлия // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2005. – Т. 3, №4. – С. 949–956.

Горбик П.П., Дубровін І.В., Демченко Ю.О., Філоненко М.М. Дадикін О.А. Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO // Химия, физика и технология поверхности. – 2008. – Вып. 14. – С. 275–281.

В.В. Покропивный, М.М. Касумов Получение и механизм роста наноструктур из оксида цинка в дуговом разряде // Письма в журн. техн. физики. – 2007. – Т. 33, Вып. 1. – С. 88–94.

PCPDFWIN – a Windows retrieval / display program for accessing the ICDD PDF – 2 database // JCPDS – Intern. Center for Diffraction Data (1998).

Опубліковано
2010-08-28
Як цитувати
Gorbyk, P. P., Dubrovin, I. V., Demchenko, Y. O., Kashun, G. M., & Lytvyn, Y. M. (2010). Синтез наноструктур з кристалічного оксиду цинку. Поверхня, (2(17), 214-220. вилучено із http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/415
Розділ
Наноматеріали і нанотехнології