Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник
Анотація
Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.
Посилання
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. – Москва: Мир, 1984. – (В 2-х кн. / Зи С.: кн. 2). – 456 с.
Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. – Москва: Изд-во Моск. ун-та, 1999. – 284 с.
Бонч-Бруевич В.П., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – Москва: Наука, 1977. – 672 с.
Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.Г., Челноков В.Е. Исследование поверхностных состояний на границе раздела Si–SiO путём анализа входной комплексной проводимости МОП-структуры в широком температурном интервале // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 29, № 2. – С. 271-277.
Бормонтов Е.Н., Котов С.В., Лукин С.В., Головин С.В. Исследование поверхностных состояний в МДП-структурах методом двухтемпературной полной проводимости // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 29, № 4. – С. 644-653.
Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г. Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник–диэлектрик по полевым зависимостям электропроводимости и ёмкости инверсных каналов // Физика и техника полупроводников. – 1992. – Т. 26, № 12. – С. 2017-2023.
Трутко А. Ф. Методы расчёта транзисторов. – Москва: Энергия, 1971. – 272 с.
Осадчук В.С., Осадчук О.В., Кравчук Н.С. Мікроелектронні сенсори температури з частотним виходом.– Вінниця: Універсум-Вінниця, 2007. – 163 с.
Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С. Дослідження поверхневих станів на межі SiO2-Si, легованого бором // Матеріали міжнар. симпо. «Наука і підприємництво». – Вінниця-Львів. – 1997. – C. 98.
Соловов В. Я. Фазовые измерения. – Москва: Энергия, 1977. – 121 с.
Гаврилюк О.О., Гнелиця Я.М., Кравчук Н.С. Дослідження впливу поверхневих станів на імпеданс МДН-структури // Актуальні проблеми математики, фізики і технологічної освіти: Збірн. наук. праць. – В. 8. – Вінниця: ФОП Данилюк В.Г., 2011. – С. 295-298.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
