Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

  • O. O. Gavrilyuk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України http://orcid.org/0000-0003-4487-0537
  • V. E. Klymenko Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • O. Yu. Semchuk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України

Анотація

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.

Посилання

Зи С. Физика полупроводниковых приборов. – Москва:  Мир, 1984. – (В 2-х кн. / Зи С.: кн. 2). – 456 с.

Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. – Москва: Изд-во Моск. ун-та, 1999. – 284 с.

Бонч-Бруевич В.П., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – Москва: Наука, 1977. – 672 с.

Иванов П.А., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.Г., Челноков В.Е. Исследование поверхностных состояний на границе раздела Si–SiO путём анализа входной комплексной проводимости МОП-структуры в широком температурном интервале // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 29,  № 2. – С. 271-277.

Бормонтов Е.Н., Котов С.В., Лукин С.В., Головин С.В. Исследование поверхностных состояний в МДП-структурах методом двухтемпературной полной проводимости // Физика и техника полупроводников. – 1995. – Т. 29,  № 4. – С. 644-653.

Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г. Определение электронных характеристик границ раздела полупроводник–диэлектрик по полевым зависимостям электропроводимости и ёмкости инверсных каналов // Физика и техника полупроводников. – 1992. – Т. 26, № 12. – С. 2017-2023.

Трутко А. Ф. Методы расчёта  транзисторов. – Москва: Энергия, 1971. – 272 с.

Осадчук В.С., Осадчук О.В., Кравчук Н.С. Мікроелектронні сенсори  температури з частотним виходом.– Вінниця: Універсум-Вінниця, 2007. – 163 с.

Осадчук В.С., Яремчук В.Ф., Кравчук Н.С. Дослідження поверхневих станів  на межі SiO2-Si, легованого бором // Матеріали міжнар. симпо.  «Наука і підприємництво». – Вінниця-Львів. – 1997. – C. 98.

Соловов В. Я. Фазовые измерения. – Москва: Энергия, 1977. – 121 с.

Гаврилюк О.О., Гнелиця Я.М., Кравчук Н.С. Дослідження впливу поверхневих станів на імпеданс МДН-структури // Актуальні проблеми математики, фізики і технологічної освіти: Збірн. наук. праць. – В. 8. – Вінниця: ФОП Данилюк В.Г., 2011. – С. 295-298.

Опубліковано
2012-09-04
Як цитувати
Gavrilyuk, O. O., Klymenko, V. E., & Semchuk, O. Y. (2012). Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник. Поверхня, (4(19), 52-56. вилучено із https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/470
Розділ
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні.