Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
Анотація
Методом теорії функціоналу густини (B3LYP, 6-31G**) розраховані коливальні стани (частоти та форми коливань) адсорбційних комплексів молекули О2, які відтворюють перетворення молекулярно адсорбованого кисню в комплекси, що містять силоксанові зв’язки. Ідентифіковано відомі з літератури експериментально визначені частоти та співставлено їх із частотами коливань атомів відповідних кисеньвмісних структур.
Посилання
Parr R.G., Yang W. Density-functional theory of atoms and molecules. – Oxford: Oxford Univ. Press, 1989. – 333 p.
Becke A.D. 149. Becke A.D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior // Phys. Rev. A. – 1988. – V. 38, N 6. – P. 3098–3100.
Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A. et al. General atomic and molecular electronic-structure system. Review. // J. Comput. Chem. – 1993. – V. 14, N 11. – P. 1347–1363.
Shanks H., Fang C. J., Ley J. et. al. Infrared spectrum and structure of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. B. – 1980. – V. 100, N 1. – P. 43–55.
Rudder R. A., Cook J. W., Lucovsky G. High photoconductivity in dual magnetron sputtered amorphous hydrogenated silicon and germanium alloy films // Appl. Phys. Lett. – 1984. – V. 45, N 8. – P. 887–889.
Chabal Y.J. High-resolution infrared spectroscopy of adsorbates on semiconductor surfaces: Hydrogen on Si(100) and Ge(100) // Surf. Sci. – 1986. – V. 168, N 594. – P. 1–3.
Terebinska M.I., Lobanov V.V., Grebenyuk A.G. Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face // Хімія, фізика та технологія поверхні. –2014. – Т. 5, № 1. – С. 10–15.
Bosomworth D.R., Hayes W., Spray A.R.L. Absorption of oxygen in silicon in the near and the far infrared // Proc. Roy. Soc. London A. – 1970. – V. 317, N 1528. – P. 133–152.
Hrostowski H.J., Kaiser R.H. Infrared adsorption of oxygen in silicon. // Phys. Rev. – 1957. – V. 107, N 4. – P. 966–976.
Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение и легирование аморфных пленок на основе Si и Ge // Int. Sci. J. for Altern. Energy and Ecology – 2005. – V. 24, N 4. – P. 74 ‑ 78.
Chenco R.M., McDonald R.S., Pell E.M. Vibrational spectra of lithium-oxigen and lithium-boron complexes in silicon // Phys. Rev. – 1965. – V. 138, N 6A. – P. A1775–A1784.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
