Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)

M. I. Terebinska; O. V. Filonenko; V. V. Lobanov

M. I. Terebinska Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
O. V. Filonenko Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
V. V. Lobanov Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України

Анотація

Методом теорії функціоналу густини (B3LYP, 6-31G**) розраховані коливальні стани (частоти та форми коливань) адсорбційних комплексів молекули О₂, які відтворюють перетворення молекулярно адсорбованого кисню в комплекси, що містять силоксанові зв’язки. Ідентифіковано відомі з літератури експериментально визначені частоти та співставлено їх із частотами коливань атомів відповідних кисеньвмісних структур.

Посилання

Parr R.G., Yang W. Density-functional theory of atoms and molecules. – Oxford: Oxford Univ. Press, 1989. – 333 p.

Becke A.D. 149. Becke A.D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior // Phys. Rev. A. – 1988. – V. 38, N 6. – P. 3098–3100.

Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A. et al. General atomic and molecular electronic-structure system. Review. // J. Comput. Chem. – 1993. – V. 14, N 11. – P. 1347–1363.

Shanks H., Fang C. J., Ley J. et. al. Infrared spectrum and structure of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Stat. Sol. B. – 1980. – V. 100, N 1. – P. 43–55.

Rudder R. A., Cook J. W., Lucovsky G. High photoconductivity in dual magnetron sputtered amorphous hydrogenated silicon and germanium alloy films // Appl. Phys. Lett. – 1984. – V. 45, N 8. – P. 887–889.

Chabal Y.J. High-resolution infrared spectroscopy of adsorbates on semiconductor surfaces: Hydrogen on Si(100) and Ge(100) // Surf. Sci. – 1986. – V. 168, N 594. – P. 1–3.

Terebinska M.I., Lobanov V.V., Grebenyuk A.G. Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face // Хімія, фізика та технологія поверхні. –2014. – Т. 5, № 1. – С. 10–15.

Bosomworth D.R., Hayes W., Spray A.R.L. Absorption of oxygen in silicon in the near and the far infrared // Proc. Roy. Soc. London A. – 1970. – V. 317, N 1528. – P. 133–152.

Hrostowski H.J., Kaiser R.H. Infrared adsorption of oxygen in silicon. // Phys. Rev. – 1957. – V. 107, N 4. – P. 966–976.

Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение и легирование аморфных пленок на основе Si и Ge // Int. Sci. J. for Altern. Energy and Ecology – 2005. – V. 24, N 4. – P. 74 ‑ 78.

Chenco R.M., McDonald R.S., Pell E.M. Vibrational spectra of lithium-oxigen and lithium-boron complexes in silicon // Phys. Rev. – 1965. – V. 138, N 6A. – P. A1775–A1784.