Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001)

  • Y. N. Kozyrev Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • V. S. Lysenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • Y. V. Gomeniuk нститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • O. S. Kondratenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • S. A. Iliash Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • S. V. Kondratenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Нанокристалічні плівки Ge та SiGe вирощені на поверхні Si(001) методом молекулярно-променевої епітаксії. Оптичні константи тонких плівок визначено методом багатокутової монохроматичної еліпсометрії. Оптичні властивості систем описано в моделі ефективного середовища Бруггемана. Показано, що зміна ефективних оптичних констант при нанесенні Si на поверхню нанокластерів Ge зумовлена поруватістю нанокристалічних плівок.

Посилання

1. Brunner K. Si/Ge nanostructures. Rep. Prog. Phys. 2002. 65(1): 27. https://doi.org/10.1088/0034-4885/65/1/202

2. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. (John Wiley & Sons, Ltd., Chichester, 1999).

3. Miesner C., Röthig O., Brunner K., Abstreiter G. Intra-valence band photocurrent spectroscopy of self-assembled Ge dots in Si. Appl. Phys. Lett. 2000. 76(8): 1027. https://doi.org/10.1063/1.125927

4. Teichert C. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. Phys. Rep. 2002. 365(5–6): 335. I. Berbezier I., Ronda A. SiGe nanostructures. Surf. Sci. Rep. 2009. 64(2): 47.

5. Lafontaine H., Rowell N.L., Janz S., Xu D.-X. Growth of undulating Si0.5Ge0.5 layers for photodetectors at λ = 1.55 μm. J. Appl. Phys. 1999. 86(3): 1287. https://doi.org/10.1063/1.370883

6. Barnham K.W.J., Duggan G. A new approach to high‐efficiency multi‐band‐gap solar cells. J. Appl. Phys. 1990. 67(7): 3490. https://doi.org/10.1063/1.345339

7. Floyd M., Zhang Y., Driver K.P., Drucker J., Crozier P.A., Smith D.J. Nanometer-scale composition measurements of Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 2003. 82(9): 1473. https://doi.org/10.1063/1.1558215

8. Schmidt O.G., Denker U., Christiansen S., Ernst F. Composition of self-assembled Ge/Si islands in single and multiple layers. Appl. Phys. Lett. 2002. 81(14): 2614. https://doi.org/10.1063/1.1507612

9. Kratzer M., Rubezhanska M., Prehal C., Beinik I., Kondratenko S.V., Kozyrev Yu.N., Teichert C. Electrical and photovoltaic properties of self-assembled Ge nanodomes on Si(001). Phys. Rev. B. 2012. 86(24): 245320. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.245320

10. Nonnenmacher M., O'Boyle M.P., Wickramasinghe H.K. Kelvin probe force microscopy. Appl. Phys. Lett. 1991. 58(25): 2921. https://doi.org/10.1063/1.105227

11. Lin Z., Brunkov P., Bassani F., Bremond G. Electrical study of trapped charges in nanoscale Ge islands by Kelvin probe force microscopy for nonvolatile memory applications. Appl. Phys. Lett. 2010. 97(26): 263112. https://doi.org/10.1063/1.3533259

12. Azzam R., Bashara N. Ellipsometriya i polyarizovannyy svet. (Moscow: Mir, 1981). [in Russian].

13. Antonyuk V.N., Dmitruk N.L., Medvedeva M.F. Ellipsometriya v nauke i tekhnike. (Novosibirsk: Nauka, 1987).

14. Bruggeman D.A.G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen. I. Dielektrizitätskonstanten und Leitfähigkeiten der Mischkörper aus isotropen Substanzen. Ann. Phys. 1935. 416(7): 636. https://doi.org/10.1002/andp.19354160705

Опубліковано
2016-10-06
Як цитувати
Kozyrev, Y. N., Lysenko, V. S., Gomeniuk, Y. V., Kondratenko, O. S., Iliash, S. A., & Kondratenko, S. V. (2016). Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001). Поверхня, (8(23), 218-222. https://doi.org/10.15407/Surface.2016.08.218
Розділ
Наноматеріали і нанотехнології