Поверхневі явища у двовимірних структурах макропористого кремнію
Анотація
Представлені результати досліджень фотофізичних процесів у двовимірних структурах макропористого кремнію, зокрема фотопровідності та поглинання у ближній ІЧ-області спектру, які визначають функціональні можливості матеріалу.
Посилання
С.П. Зимин. Пористый кремний - материал с новыми свойствами // Сорос, образоват. - 2004. -Т. 8. -№ 1.-С. 101 - 107.
Crystal Orientation Dependence of Macropore Growth in n-Type Silicon / S. Rônnebeck, J. Carstensen, S. Ottow, H. Foil // Electrochem. Solid-State Lett. - 1999. - V. 2. - N 3.- P. 126-128.
Lehmann V. and Foil H.. Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon // J. Electrochem. Soc. - 1990. - V. 137. - N 2. - P. 653 - 659.
.4 Карачевцева Л.A., Литвиненко O.A., Маловичко Э.А.. Стабилизация процесса электрохимического формирования макропор в и-Si // Теор. и эксперим. химия. - 1998. - Т. 34.-N 5. - С. 314 - 318.
Исследование процесса электрохимического формирования макропор в кремнии / Л.А. Карачевцева, О.А. Литвиненко, Э.А. Маловичко, Е.И. Стронская // Теорет. и эксперим. химия. - 2000. - Т. 36. - N 3. - С. 193-197.
Парофазные реакции между твердофазными кремнием и углеродом / А.И. Харламов, Н.В. Кириллова, Л.А. Карачевцева, А.А. Харламова.// Теорет. и эксперим. химия. - 2003. - Т. 39. - N 6. - С. 362 - 367.
Karachevtseva LA.. Novel macroporous silicon structures as light emission and sensor elements //Proceedings of SPIE - 2001. -V. 4288. - P. 122-129.
Карачевцева Л.А., Литвиненко O.A., Стронская Е.И.. Исследование локальных химических состояний в структурах макропористого кремния // Теор. и эксперим. химия.-2003. -Т. 39.-N2.-С. 77-81.
Surface polaritons in 2D macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, N.I. Karas’, V.F. Onischenko, F.F. Sizov.// Int. J. Nanotechnology - 2006. - V. 3. - N 1. - P. 76 - 88.
Кутова залежність фотопровідності у двовимірних фотонних структурах макропористого кремнію / Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко. // Фізика і хімія тверд, тіла - 2004. - Т. 5. -N 2. - С. 241 - 246.
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores / V.I. Ivanov, L.A. Karachevtseva, N.I. Karas, O.A. Lytvynenko, K.A. Parshin, A.V. Sachenko. // Semiconductor Phys. Quant.Electronics end Optoelectronics - 2007. - V. 10-N4.-P. 72- 76.
LElectrical properties of macroporous silicon structure / .A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, and O.J. Stronska. // Semiconductor Phys. Quantum Electronics end Optoelectronics - 2001. - V. 4 - N 1. - P. 40 - 43.
The impurity Franz-Keldysh effect in 2D photonic macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, V.I. Ivanova, O.A. Lytvynenkoa, K.A. Parshin O.J. Stronska. // App. Surf. Science. - 2008. - V. 255. - N 5. - P. 3328 - 3331.
L. Bolometric characteristics of macroporous silicon structures / .A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Phys. Quantum Electronics end Optoelectronics - 2001.-V.4-N3.-P. 177-181.
Патент України №80345, МІЖ (2006) G01J5/20 H01L 31/02, Л.А. Карачевцева, Ф.Ф. Сизов, Ю.В. Голтвянський, К.П. Конін, О.Й. Стронська, К.А. Паршин, О.О. Литвиненко, Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів. 10.09.07, Bron.N 14.
