Role of surface microstructure in forming the interaction potential between vacuum space near separated non-identical dielectric (semiconductor) nanoparticles
Анотація
<p>The structural component <em>ΔV<sub>st</sub>(r) </em> of the interaction potential <em>V(r) </em> in a vacuum inter-val dividing two dielectric (semiconductor) nanoparticles determined by the microscopic (atomic) structure of their surfaces is calculated theoretically.</p>
<p>Within the framework of local and nonlocal electrostatics for an asymmetrical system is shown that for the narrow dividing distances L~3-20 Å the superposition of the modulated part of the potential <em>ΔV<sub>st</sub>(r) </em> from both surfaces promotes originating of the regions of the considerable increase (decrease) of the total potential barrier height within all the dividing interval.</p>
Посилання
Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. - М.: Мир, 2002. - 292 с.
Химия поверхности кремнезема / Под ред. А.А. Чуйко – Киев: УкрИНТЭИ, 2001. - Ч. 1. ‑ 736 с.
Лобанов В.В., Чуйко А.А. Механизм диссоциативной хемосорбции воды на поверх-ности кремнезема // Автореф. Докл. 3-й Международ. конф. “Химия высокооргани-зованных веществ и научные основы нанотехнологии” - С.-Петербург, 2001. - С.48‑50.
Лобанов В.В., Горлов Ю.И. Чуйко А.А., Пинчук В.М., Синекоп Ю.С., Якименко Ю.И. Роль электростатических взаимодействий в адсорбции на поверхности твердых оксидов. - Киев.: ВЕК+, 1999. ‑240 с.
Ильченко Л.Г., Гречко Л.Г., Савон А.А. Пространственное распределение электроста-тического потенциала вблизи поверхности диэлектрика с модулированным поверхно-стным зарядом. 1. Атомарно-чистая поверхность диэлектрика // Укр. физ. журн. ‑ 1993. – Т. 38, № 3. - С.415‑420.
Ильченко Л.Г., Савон А.А. Электростатический потенциальный рельеф поверхности диэлектриков с дискретным распределением заряда // Препр. ИТФ-92-27Р. - 1992. - 31 с.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the potential barrier between closely spaced metals. // Surf. Sci. - 2001. – V. 478, - P.169‑179.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Image potential between closely separated quantum size film and metal .// Ultramicroscopy. – 2003. – V. 95. - P.67‑73.
Huang Z.-H., Weimer M., Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. - 1993.- V. 48, N 20. - P.15068-15076.
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок // Физ. тверд. тела. - 2001. - V. 43, вып.12. - C.2230‑2236.
Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г. Сили зображення між близько розділеними діелектриками // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2003. - Вип. 9. - C.11‑17.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Теоретичне визначення потенціалу взаємодії між двома близько розділеними діелектриками у воді // Доп. НАН України. - 2005. - №. 1. - С.76‑81.
Smythe W.R. Static and Dynamic Electricity. – N. Y.: McGraw-Hill, 1953. - 625 p.
Il’chenko L.G., Il’chenko V.V., Goraychuk T.V., Rangelow I.W. Microscopic structure of the semiconductor surface in the external electric field // Chemistry, physics and technology of surfaces. - 2001. - N 4-6. - Р.186‑195.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Вплив мікроструктури поверхні на потенці-ал взаємодії між наночастинками діелектриків // Наносистеми, наноматеріали, нано-технології. - 2004 – Т. 2, вип. 4 - C.1145‑1158.
Inkson J. C. The electrostatic image potential in metal semiconductor junctions // J. Phys. C. - 1971. – V. 4, N 5. - P.591-597.
Jensen K.L. Improved Fowler-Nordheim equation for field emission from semiconductors // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. – V. 13, N 2. - P.516‑521.
Il’chenko L.G. Role of Microscopic Structure of the Surface in Field Emission from Semiconductors// 12th Intern. Vacuum Microelectronics Conf.(6-9 July 1999, Darmstadt, Germany): Technical Digest. – 1999. - P.84‑85.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
