Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
Анотація
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.
Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі.
Посилання
Litovchenko V.V., Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V. Optimization of quantum well structures for field emission applications // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. - V. 13, № 2. - P. 602 - 605.
Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V., Litovchenko V.V. Electron field emission (FE) from quantum size systems // Appl. Surface Sci. - 1995. - V. 87 – 88. - P. 53 - 60.
Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В. Розмірна залежність потенціалу сил зображення поблизу тонкої металевої плівки з розмірно-квантованим спектром електронів // Вісн. київськ. ун-ту. Радиофізика і електроніка. - 2000. - Вып. 2. - С. 29 – 33.
Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. - М.: Мир, 2002. - 292 с.
Химия поверхности кремнезема / Под ред. А.А. Чуйко - Киев: УкрИНТЭИ, 2001. - Ч. 1. - 736 с.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the potential barrier between closely spaced metals // Surf. Sci. – 2001. – V. 478. – P. 169 – 179.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Image potential between closely separated quantum size film and metal // Ultramicroscopy. – 2003. – V. 95. – Р. 67 – 73.
Huang Z.-H., Weimer M., Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. – 1993. - V. 48, № 20. – P. 15068 – 15076.
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок // Физика тверд. тела. – 2001. – V. 43, № 12. – C. 2230 – 2236.
Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г. Сили зображення між близькорозділеними діелектриками // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2003. – Вип. 9. – С. 11 – 17.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Теоретичне визначення потенціалу взаємодії між двома близько розділеними діелектриками у воді // Доп. НАН України. – 2005. – Т. 1 – С. 76 – 81.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Вплив мікроструктури поверхні на потенціал взаємодії між наночастинками діелектриків // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2004. – Т. 2, Вип. 4. – С. 1145 – 1158.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. формування потенціального бар’єру між двома близько розділеними металами з субмоношаровим адсорбційним покриттям // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 3 – С. 471 – 475.
Ильченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко А.А. Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близкоразделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами // Химия, физика и технология поверхности. – 2006. – Вып. 11 – 12. – C. 4 – 19.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
