Коливальні стани кисню на грані (111) силіцію
Анотація
Наведені результати розрахунків коливальних спектрів адсорбційного комплексу молекули кисню і продуктів його подальшого перетворення на грані (111) поверхні кристалічного силіцію. Показана їх відмінність від коливальних спектрів комплексів об’ємної фази за участю міжвузлових атомів кисню. Розрахунки виконані методом функціоналу густини з базисним набором 6-31G** у кластерному наближенні.
Посилання
Sze S.M. Physics of Semiconductir Devices. N.-Y., J.Wiley: 1981. – 380 p.
Бабич В.М., Блецкан М.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния – Киев: Интерпрес ЛТД, 1997. – 240 с.
Czochralski J Ein neues verfahren zur messung der kritallizationsgeschwindigkeit der metalle // Z. Physik. Chemie. – 1917. – V. 92, № 2. – Р. 219 - 221.
Пфанн В.Д. Зонная плавка. – Москва: Металлургия, 1960. – 336 с.
Протасов Ю.С., Чувашев С.Н. Твердотельная электроника. – М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2003. – 477 с.
Goss A.J., Adlington R.E. Seed rotation influence on silicon crystal growth // Marcani Rev. – 1959. V. 22, № 132. – P. 18 – 36.
Никитин В.М., Туровский Б.И., Мельвидский М.Г. некоторые вопросы металлургии полупроводникового кремния // В кн.: Научные труды Гиредмета. – Москва.: Гиредмет, 1969. – Т. 25. – С. 82 – 94.
Adsorption of triplet O2 on Si(100): the crucial step in the initial oxidation of a silicon surface / X.L. Fan, Y.F. Zhang, W.M. Lau, Z.F. Liu // Phys. Rev. Lett. – 2005. – V. 94, № 1. – P.016101-1 – 016101-4.
Batra I.P., Bagus P.S., Herman K. Chemisorption of atomic oxygen on Si (100): self-consistent cluster and slab model investigations // Phys. Rev. Lett. – 1984. – V. 52, № 5. – P. 384 – 387.
Vasiliev I., Chelikowsky J.R., Martin R.M. Surface oxidation effects on the optical properties of silicon nanocrystals // Phys. Rev. B – 2002. – V. 65, № 12. – P. 121302-1–121302-4.
Л.В. Гурвич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведєв, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев / Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону // Москва: Наука, 1974. – 351 с.
Чуйко Α. Α., Горлов Ю. И. Химия поверхности кремнезема: строение поверхности, активные центры, механизмы сорбции. – Киев: Наук. думка, 1992. – 248 с.
Terebinskaya M.I., Lobanov V.V. Oxidation of the (100) face of crystalline silicon // Theor. and Exper. Chem. – 2007. – V. 43, № 4. – P. 278 – 283.
Теребинская М.И., Лобанов В.В. Механизм образования супрамолекулярных кислородных структур на грани (111) поверхности кристаллического кремния // Физико-химия наноматериалов и супрамолекулярных структур: Под редакцией А.П.Шпака и П.П.Горбика в 2х томах. – 2007. – Т. 2. – Киев: Наук. думка. – С. 82 – 87.
Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A., Elbert S.T., Gordon M.S., Jensen J.H., Koseki S., Matsunaga N., Nguen K.A., Su S.J., Windus T.L., Dupuis M., Montogomery J.A. // J. Comput. Chem. 1993. – V. 14, № 11. – Р.1347 – 1363.
Ильин М.А., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом // Заводская лаборатория. – 1984. – Т. 50, № 4. – С. 24 – 32.
Hrostowski H.J., Kaiser R.H. Infrared adsorption of oxygen in silicon // Phys. Rev. – 1957. – T. 107, № 4, P. 966 – 976.
Chenco R.M., McDonald R.S., Pell E.M. Vibrational spectra of lithium-oxigen and lithium-boron complexes in silicon // Phys. Rev. – 1965. – V. 138, № 6A. – P. A1775 –A1784.
Absorption of oxygen in silicon in the near and the far infrared / D.R. Bosomworth, W. Hayes, A.R.L. Spray, G.D. Watkins // Proc. Roy. Soc. London A. – 1970. – V. 317, № 1528. – Р. 133 – 152.
O'Mara W.C., Herring R.B., Hunt L.P. Handbook of semiconductor silicon technology. – Bracknell Berkshire (UK): Noyes Publications, 1990. – 795 p.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
