Вплив концентрації гідроген пероксиду на травлення монокристалів Cd1-xMnxTe розчинами Н2О2–НІ–тартратна кислота
Анотація
Досліджено процеси хімічного травлення монокристалів CdTe і твердих розчинів
Cd1-xMnxTe (0,3< х <0,5) йодвиділяючими травильними композиціями H2O2–HI–тартратна кислота з використанням H2O2 різної концентрації. Побудовані концентраційні та кінетичні залежності швидкості травлення і показано, що із збільшенням вмісту Mn в складі твердих розчинів швидкості їх травлення зростають і покращується якість оброблюваної поверхні. Оптимізовано склади травників та режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів Cd1-x MnxTe.
Посилання
Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Полирующее травление полупроводниковых соединений типа AIIBVI // Неорган. материалы. – 1997. – Т. 33. № 12. – C. 1451 – 1455.
Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников // Высокочистые вещества. – 1995. – № 2. – С. 5 – 29.
Стан поверхні телуриду кадмію після різних способів обробки / Я.Д. Захарук, І.М. Раренко, О.М. Крилюк, С.Г. Дремлюженко, Ю.П. Стецько // Укр. хім. журн. – 2000. – Т. 66. № 12. – С. 31 – 34.
Дослідження поверхні і границі розділу структур, сформованих на Cd1-xZnxTe і
Cd1-xMnxTe лазерною проплавкою / О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, Я.Д. Захарук, А.І. Раренко, Є.В. Рибак, В.М. Стребежев // Фізика і хімія твердого тіла – 2003. – Т. 54. № 6. – С. 945 – 949.
Томашик З.Ф., Гуменюк О.Р., Томашик В.Н. Химическое травление теллурида кадмия и твердых растворов на его основе в йодметанольных травильных композициях // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т. 4. № 2. – С. 159 – 161.
Особенности растворения CdTe и твердых растворов ZnxCd1-xTe и CdxHg1-xTe в травильных смесях системы I2–диметилформамид / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Журн. неорган. химии. – 2004. – Т. 49. № 10. – С. 1750 – 1754.
Химическое травление монокристаллов Cd1-xMnxTe растворами иода в метаноле / З.Ф. Томашик, Р.А. Денисюк, В.Н. Томашик, А.С. Чернюк, И.М. Раренко // Журн. неорган. химии – 2009. –Т. 54, № 6. – С. 945 – 949.
Хімічна взаємодія монокристалів Cd1-xMnxTe з розчинами йоду в диметилформаміді / З.Ф. Томашик, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, О.С. Чернюк, І.І. Гнатів, І.М. Раренко // Вопросы химии и химической технологии. – 2008. – № 5. – C. 104 – 107.
Гуменюк О.Р., Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Химическое травление CdTe и твердых растворов на его основе в растворах системы Н2О2–НІ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 147 – 149.
Химическое травление твердых растворов CdxHg1-xTe в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2–HI / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, Ф.Ф. Сизов // Прикладная физика. – 2005. – № 1. – С. 106 – 109.
Хіміко-динамічне полірування монокристалів CdTe та Cd1-xZnxTe травниками H2O2–HI–оксалатна кислота / З.Ф. Томашик, Г.М. Окрепка, В.М. Томашик, О.Р. Гуменюк // Вопросы химии и хим. технологии. – 2007. – № 6. – С. 55 – 58.
Tomashik Z.F., Gumenyuk O.R., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and
CdxHg1-xTe in H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Proceeding of SPIE. – 2003. – V. 5065. – P. 241 – 245.
Gumenyuk O.R., Tomashik Z.F., Tomashik V.N. Chemical etching of CdTe and
Cd1-xZnxTe solid solutions in the H2O2–HJ–tartaric acid solutions // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4. № 1. – С. 127 – 132.
Компенсационный эффект в кинетике химического взаимодейсвия CdTe с растворами системы Н2О2–НІ–молочная кислота / О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2002. – Т .4, № 3. – С. 242 – 246.
Химическое растворение нелегированного и легированного CdTe в иодвыделяющих растворах на основе системы Н2О2–НІ / З.Ф. Томашик, О.Р. Гуменюк, В.Н. Томашик, П.И. Фейчук // Конденсир. среды и межфаз. границы. – 2003. – Т. 5, № 3. – С. 248 – 252.
Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by H2O2–HI–citric acid etchant compositions / R.O. Denysyuk, V.M. Tomashik, Z.F. Tomashik, O.S. Chernyuk, V.I. Grytsiv // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2009. – V. 12, № 2. – Р. 125 – 128.
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А Свердлин, К.Г Марин. – М.: Радио и связь, 1982 – 136 с.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
