Синтез наноструктур з кристалічного оксиду цинку
Анотація
Запропоновано методику синтезу нанорозмірних структур з віскерів і тетраедральних кристалів оксиду цинку. Синтез здійснювався в газовому потоці, а як ініціатор росту, що забезпечував задану густину центрів кристалізації на підкладинці з монокристалічного кремнію, використовували нанорозмірні частинки золота. Дослідження синтезованих ниткоподібних і тетраедральних структур методами рентгенофазового аналізу, растрової електронної мікроскопії, оже-електронної спектроскопії та атомної силової мікроскопії показали, що вони мають хімічний склад оксиду цинку високої чистоти, малу кількість дефектів, гексагональну вюрцитну структуру, характерну товщину в діапазоні 50–300 нм і довжину до 40 мкм і є перспективним об'єктом для різних областей застосування в мікроелектроніці, оптоелектроніці, біомедицині і т.п.
Посилання
Zheng G., Lu W., Jin S., Lieber C.M. Synthesis and fabrication of high-performance N-type silicon nanowire transistors // Adv. Mater. – 2004. – V. 16, N. 21. – P. 1890–1893.
Greytak A.B., Lauhon L.J., Gudiksen M.S., Lieber C.M. Growth and transport properties of complementary germanium nanowire field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. – 2004. – V. 84. – P. 4176–4178.
Björk M.T., Ohlsson B.J., Sass T., Persson A.I., Thelander C., Magnusson M.H., Deppert K., Wallenberg L.R., Samuelson L. One-dimensional heterostructures in semiconductor nanowhiskers // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P. 1058–1060.
Cui Y., Lieber C.M. Functional nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks // Science. – 2001. – V. 291. – P. 851–853.
Gradecak S., Quin F., Li Y., Park H.-G., Lieber C.M. GaN nanowire lasers with low lasing thresholds // Appl. Phys. Lett. – 2005. – V. 87, N 17. – P. 173111–173114.
Bryllert T., Wernersson L.-E., Froberg L.E., Samuelson L. Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor // IEEE Electron Device Lett. – 2006. – V. 27, N 5. – P. 323–325.
Patolsky E., Zheng G., Hayden O., Lakadamyali M., Zhuang X., Lieber C.M. Electrical detection of single viruses // Proc. Nat. Acad. Sci. USA. – 2004. – V. 101. – P. 14017–14022.
Friedman R.S., McAlpine M.C., Ricketts D.S., Ham D., Lieber C.M. High-speed integrated nanowire circuits // Nature. – 2005. – V. 434. – P. 1085–1091.
Huang Y., Lieber C.M. Integrated nanoscale electronics and optoelectronics: Exploring nanoscale science and technology through semiconductor nanowires // Pure Appl. Chem. – 2004. – V. 76, N 12. – P. 2051–2068.
Whang D., Jin S., Lieber C.M. Large-scale hierarchical organization of nanowires for functional nanosystems // Jap. J. Appl. Phys. – 2004. – V. 43. – P. 4465–4470.
Горбик П.П., Дадыкин А.А., Дубровин И.В., Филоненко М.Н. Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка // Химия, физика и технология поверхности. – 2006. – Вып. 11–12. – С. 261–270.
Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые материалы в современном этапе развития твердотельной электроники // Неорган. материалы. – 2000. – Т. 36, №3. – С. 360–368.
Атаев Б.М., Камилов И.К., Мамедов В.В. Нитевидные кристаллы оксида цинка // Письма в журн. техн. физики. – 2002. – Т. 23, № 21. – С. 58–63.
Wang Z.L. Zinc oxide nanostructures: growth, properties and applications // J. Phys. Condensed Matter. – 2004. – N 16. – P. R829–R858.
Xu C.X., Sun X.W., Chen B.J., Dong Z.L., Yu M.B., Zhang X.H., Chua S.J. Network array of zinc oxide whiskers // Nanotechnology. – 2005. – N 16. – P. 70–73.
Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Баришков В.Г., Теруков Е.И. Газофазный синтез структур ZnO // Письма в Журн. техн. физики. – 2002. – Т. 28, № 22. – С. 59–63.
Dadykin A.A., Naumovets A.G., Gorbik P.P., Dubrovin I.V., Ogenko V.M., Filonenko M.N. Low–field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides and chalcogenides // Chemistry, Physics and Technology of Surfaces: – 2002. – Iss. 7–8. – Р. 163–176.
Горбик П.П., Дадыкин А.А, Дубровин И.В., Литвин Ю.М., Филоненко М.Н., Чуйко А.А. Полева электронная эмиссия из квантоворазмерных нанокластеров оксида цинка, синтезированных на фосфиде галлия // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2005. – Т. 3, №4. – С. 949–956.
Горбик П.П., Дубровін І.В., Демченко Ю.О., Філоненко М.М. Дадикін О.А. Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO // Химия, физика и технология поверхности. – 2008. – Вып. 14. – С. 275–281.
В.В. Покропивный, М.М. Касумов Получение и механизм роста наноструктур из оксида цинка в дуговом разряде // Письма в журн. техн. физики. – 2007. – Т. 33, Вып. 1. – С. 88–94.
PCPDFWIN – a Windows retrieval / display program for accessing the ICDD PDF – 2 database // JCPDS – Intern. Center for Diffraction Data (1998).
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
