Квантовохімічне моделювання впливу адсорбції молекул води та метанолу на параметри фазового переходу діоксиду ванадію
Анотація
В рамках методу Хартрі–Фока–Рутаана виконано теоретичне дослідження впливу взаємодії поверхні діоксиду ванадію з молекулами води та метанолу на температуру фазового переходу (ТФП) з використанням мінімальної кластерної моделі. Фазам до та після ФП моделей відповідали синглетний та високоспіновий стан. Показано, що для таких моделей ТФП відрізняються від притаманних для макрооб’єктів, але зміни їх при адсорбції відображають тенденції, відомі з експерименту.
Посилання
Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. – Наука, Л. – 1979 – 183 с.
Galy J. Proposal for (B)VO2 in (A)VO2 Phase Transition: A Simple Crystallographic Slip // J. Solid State Chem. – 1999. – V. 148. – Р.224-228.
Cavalleri A., Tóth Cs., Siders C.W. et al. Femtosecond Structural Dynamics in VO2 during an Ultrafast Solid–Solid Phase Transition // Phys. Rev. Lett. – 2001. – V. 87. – P. 237401(5pp).
Strelcov Е., Lilach Y, Kolmakov A. Gas Sensor Based on Metal−Insulator Transition in VO2 Nanowire Thermistor // Nano Lett. – 2009. – V6, N 9. – Р. 2322–2326.
Борисков П.П., Величко А.А. , Пергамент А.Л. , Стефанович Г.Б. , Стефанович А.Г. Влияние электрического поля на переход металл-изолятор в диоксиде ванадия // Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, No 10. – С.13 – 18.
Lopez R., Haynes T. E., Boatner L. A. et al. Size effects in the structural phase transition of VO2 nanoparticles. // Phys. Rev. B. – 2002. – V. 65. – 224113 (5pp).
A. A. Bugayev and M. C. Gupta. Femtosecond holographic interferometry for studies of semiconductor ablation using vanadium dioxide film // Optics Letters . – 2003 – V. 28, N. 16. – pp.1463–1465
Осмоловская, О.М. Синтез, магнитные и электрические свойства наноструктурированного диоксида ванадия на поверхности кремнезема и кремния.- дисс.канд,.хим.наук, 2008. – СПб, Россия. – 150 с.
Kaurkovskaya V.N., Shakhov A.P., Lobanov V.V., and Entinzon I.R. The Radiation_Enhanced “Slow” Phase Transitionon the Surface of Vanadium Dioxide // High Energy Chemistry. – 2010. – V. 44, N 2. – P. 101–104.
Каурковська В.М., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Формування чутливого шару на поверхні VO2 // Фізична хімія. Пошуки, досягнення, перспективи. Зб. наукових праць. – Київ. ВПЦ „Київський університет”, 2005. – Вип. 2. С.82 – 85.
В.М. Каурковська, В.В. Лобанов Вплив об’ємної фази на електронну cтруктуру поверхні діоксиду ванадію: квантово-хімічні розрахунки// Фізика і хімія твердого тіла. - 2012 - Т13, №2. - С.28 – 33.
Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A. et al. General atomic and molecular electronic-structure system: Review // J. Comput. Chem. – 1993. – V. 14, N 11. – P.1347–1363.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
