Low-field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides and chalcogenides

  • A. A. Dadykin Physics Institute of National Academy of Sciences
  • A. G. Naumovets Physics Institute of National Academy of Sciences
  • P. P. Gorbik Інститут хімії поверхні НАН України
  • I. V. Dubrovin Інститут хімії поверхні НАН України
  • V. M. Ogenko Інститут хімії поверхні НАН України
  • M. N. Filonenko Інститут хімії поверхні НАН України

Анотація

Basic parameters of effective low-field emitters of electrons of piezoelectric films for bright flat cathode luminescent display and other activity are optimised. Specimens of electron emitters of cathode luminescent screens are based on compounds of SiO2, ZnO, ZnS, solid solution of Zn1-xCdxS. High efficient "cold" emitters of electrons were prepared on the basis of mono- and polycrystalline films. The emission and cathode-luminescent properties of the films were investigated. It is shown that developed films are perspective like the flat displays with the brightness of 300 Cd/m2.

Посилання

Dadykin A.A. On mechanisms of a low-field electron emission // Pis’ma v Zhur. Experim. Teor. Fiz.. – 1997. - V.65, N11. - P.823-827.

Perl Allen S. Zinc oxide // Amer. Ceram. Soc. Bull. - 1996. – V.75, N6. - P.162-165.

Novrega M.C. Varistor perfomance of ZnO-based ceramics related to their densification and structural development // J. Amer. Ceram. Soc. - 1996. – V.79, N6. - P.1504-1508.

Wei-I Lee Applications of deep level transient spectroscopy and depth profile measurements on polycrystalline zinc oxide ceramic // Abstr. Mater. Res. Soc. Fall Meet. Boston. Mass., Nov. 27-Dec. 1, 1995. -Boston (Mass), 1995. - P.T8.11.

Izaki M. and Omi T. Transparent zinc oxide films chemically prepared from aqueous solution // J. Electrochem. Soc. - 1997. - V.144, N1. - P.L3-L5.

Rensmo H., Kais K., and Lindstrom H. High light-to energy conversion efficiencies for solar cells based on nanostructured ZnO electrodes // J. Phys. Chem. B. -1997. - V.101, N14. - P.2598-2601.

Kynev K., Maneva N., and Gridorov L. Luminescence of ZnO:Sm doped with cation impurities // Dokl. Bulg. АN. - 1996. – V.49, N2. - P.37-40.

Vanheusden K. Correlation between photoluminiscence and oxygen vacancies in ZnO phosphors // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V.68, N3. - P.403-405.

Rouanet A. and Solmon H. Synthesis by vaporization-condensation and characterization of g-Fe2O3, In2O3, SnO2, ZnO, Zr1-xYxO2-d // Nanostruct. Mater. - 1995. – V.6, N1-4. -P.283-286.

Walg Q. Structural properties of non-stoichiometric zinc oxide films deposited by E-beam evaporation technique // Journal of Nanjing. Univers. Natur. Sci. Ed. -1996. – V.32, N3. -P.410-413.

Abduev A.H., Magomedov A.V., and Shakhmaev Sh.O. Formation of zinc oxide layers using a magnetron sputtering // Izv. AN. SSSR Neorgan. Mater. -1997. – V.33, N3. -P.340-343.

Tomashik V.N. and Grishchiv V.I. State Diagrams of Systems Based on Semiconductor Compounds of AIIBVI. -Kiev: Naukova Dumka, 1982 (in Russian).

Boldyrev V.V. Effect of Crystal Defects on Rate of Thermal Decomposition of Solids. Tomsk: Ed.TSU. - 1963. - P.114-145 (in Russian).

Dadykin A.A. and Naumovets A.G. A study of time and space correlations in field emission current fluctuation with a fibber-optical technique. Acta Phys. Polonica A. – 1992. - V.81, N1. - P.131-143.

Опубліковано
2002-06-12
Як цитувати
Dadykin, A. A., Naumovets, A. G., Gorbik, P. P., Dubrovin, I. V., Ogenko, V. M., & Filonenko, M. N. (2002). Low-field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides and chalcogenides. Поверхня, (7-8), 163-176. вилучено із https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/95
Номер
№ 7-8 (2002): Хімія, фізика та технологія поверхні
Розділ
Surface properties of inorganic materials
  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.