Сили зображення між близько розділеними діелектриками
Анотація
Показано, що в системі двох діелектриків (власних напівпровідників), які розділені малим вакуумним проміжком, коректне врахування ефектів просторової дисперсії призводить до неперервного розподілу потенціалу сил зображення на межах розподілу, що дозволяє коректно врахувати зарядовий стан поверхонь в рамках запропонованої моделі (реальні та гідроксильовані поверхні кремнезему).
Посилання
Химия поверхности кремнезема/ Под ред. А.А.. Чуйко, т.1, ч.1-2, Киев: УкрИНТЭИ, 2001. – 1236 с.
Лобанов В.В., Горлов Ю.И., Чуйко А.А., Пинчук В.М., Синекоп Ю.С., Якименко Ю.И. Роль электростатических взаимодействий в адсорбции на поверхности твердых оксидов, Киев: ТОО “ВЕК+”, 1999. – 238 с.
Ильченко Л.Г., Савон А.А. Электростатический потенциальный рельеф поверхности диэлектриков с дискретным распределением заряда// Препринт ИТФ 92-27Р. - 1992. – 31 c.
Il’chenko L.G. and Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the potential barrier between closely spaced metals// Surf. Sci. - 2001. - V.478. - P.169-179.
Huang Z.-H., Weimer M., and Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on scanning tunneling microscopy// Phys. Rev. B.- 1993. - V.48. - P.15068-15076.
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок// ФТТ - 2001. - T.43.- C.2230-2236.
Smythe W.R. Static and Dynamic Electricity. - New York: McGraw-Hill, 1953. – 625 p.
Il'chenko L.G., Pashitskii E.A., and Romanov Yu.A. Charge interaction in layered systems with spatial dispersion// Surf. Sci.- 1982.- V.121. - P.375-395.
Inkson J.C. The electrostatic image potential in metal semiconductor junctions// J. Phys. C. -1971. -V.4. - P.591-597.
Il’chenko L.G. and Il’chenko V.V. Theoretical calculation on the tunnel characteristics of superthin diamond films on the metal substrate// Technical Digest of the 12th International Vacuum Microelectronics Conference (Darmstadt, 1999). - P.104-105.
Jensen K.L. Improved Fowler-Nordheim equation for field emission from semiconductors// J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. - V.13. - P.516-521.
Лобанов В.В., Чуйко А.А. Механизм диссоциативной хемосорбции воды на поверхности кремнезема// 3-я Межд. конф. «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии» (С.‑Петербург, 2001): Авторефераты докладов. - C.48-50.
