Nanostructured GaAs- and CdSe-electrodes for photoelectrodes for photoelectrochemical converters

  • I. A. Slobodyanyuk Институт общей и неорганической химии им. В.И. Вернадского Национальной академии наук Украины
  • I. A. Rusetskiy Институт общей и неорганической химии им. В.И. Вернадского Национальной академии наук Украины
  • G. Ya. Kolbasov Институт общей и неорганической химии им. В.И. Вернадского Национальной академии наук Украины

Анотація

Photoelectrochemical processes on GaAs-electrodes and electrodes on a basis nanodimensional particles CdSe after them nanostructuring in the solutions containing ions Zn2+ and S2- are studied. It is shown, that nanostructuring electrodes result leads to increase in their photosensitivity that is related to reduction of velocity of the surface recombination and the photocathode reaction with participation of the surface electronic states. The explored materials are perspective for application as photoanodes of photoelectrochemical system with hydrogen accumulation.

Посилання

Metal hydride use for solar energy accumulation / L.G. Shcherbakova, D.B. Dan`ko, V.B. Muratov, I.A. Kossko, Yu.M. Solonin, G.Ya. Kolbasov, I.A. Rusetskii // NATO Security through Science Series – A: Chemistry and Biology. Hydrogen Materials Science and Chemistry of Carbon Nanomaterials. Edited by T.N. Veziroglu, S.Yu. Zaginaichenko, D.V. Schur, B. Baranowski, A.V. Shpak, V.V. Skorokhod, A. Kale. 2007 Springer, P. 699 – 706.

Фотоэлектрохимическая система для накопления водорода на основе модифициро­ванного платиной GaAs-электрода / И.А. Русецкий, Г.Я. Колбасов, Д.Б. Данько, О.З. Галий, Ю.М. Солонин // Укр. хим. журн. – 2004. – Т. 70, № 9. – С. 44 – 46.

Химическое осаждение пленок селенида кадмия / Г.Я. Колбасов, Н.И. Тараненко, И.К. Островская // Химия, физика и техническое применение халькогенидов. Тез. докл. 7 Всесоюзн. конф. – Ужгород, 1988. – Ч. 3. – С. 327.

Фотоэлектрохимические процессы при высокой интенсивности освещения на элект­родах CdSe-ZnSe(ZnS) / Г.Я. Колбасов, Т.С. Чернокожа, С.К. Ковач, Н.И. Тараненко, А.Т. Васько, И.К. Островская // Электрохимия. – 1989. – Т. 25, № 1. – С. 124 – 126.

Кузьмінський Є.В., Колбасов Г.Я., Тевтуль Я.Ю., Голуб Н.Б. Нетрадиційні електро­хімічні системи перетворення енергії // Київ: Академперіодика, 2002. – 182 с.

Колбасов Г.Я., Городыский А.В. Процессы фотостимулированного переноса заряда в системе полупроводник – электролит // Киев: Наук. думка, 1993. – 192 с.

Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников // М.: Наука, 1983. – 312 с.

Влияние поверхности арсенида галлия на его фоточувствительность в контакте с электролитом / Н.Л. Дмитрук, Г.Я. Колбасов, Н.И. Тараненко, И.И. Карпов // Поверхность. Физика, химия, механика. –1985. – № 11. – C.34 – 38.

Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа А3В5) / Под ред. Р. Уиллардсон, А. Бир. – М: Мир, 1970. – 370 с.

Опубліковано
2007-06-21
Як цитувати
Slobodyanyuk, I. A., Rusetskiy, I. A., & Kolbasov, G. Y. (2007). Nanostructured GaAs- and CdSe-electrodes for photoelectrodes for photoelectrochemical converters. Поверхня, (13), 364-369. вилучено із http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/245
Розділ
Нанотехнології і наноматеріали