Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
Анотація
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r) в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток.
Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r) у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r) пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі.
Посилання
Litovchenko V.V., Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V. Optimization of quantum well structures for field emission applications // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. - V. 13, № 2. - P. 602 - 605.
Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V., Litovchenko V.V. Electron field emission (FE) from quantum size systems // Appl. Surface Sci. - 1995. - V. 87 – 88. - P. 53 - 60.
Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В. Розмірна залежність потенціалу сил зображення поблизу тонкої металевої плівки з розмірно-квантованим спектром електронів // Вісн. київськ. ун-ту. Радиофізика і електроніка. - 2000. - Вып. 2. - С. 29 – 33.
Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований / Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. - М.: Мир, 2002. - 292 с.
Химия поверхности кремнезема / Под ред. А.А. Чуйко - Киев: УкрИНТЭИ, 2001. - Ч. 1. - 736 с.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the potential barrier between closely spaced metals // Surf. Sci. – 2001. – V. 478. – P. 169 – 179.
Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Image potential between closely separated quantum size film and metal // Ultramicroscopy. – 2003. – V. 95. – Р. 67 – 73.
Huang Z.-H., Weimer M., Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. – 1993. - V. 48, № 20. – P. 15068 – 15076.
Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок // Физика тверд. тела. – 2001. – V. 43, № 12. – C. 2230 – 2236.
Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г. Сили зображення між близькорозділеними діелектриками // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2003. – Вип. 9. – С. 11 – 17.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Теоретичне визначення потенціалу взаємодії між двома близько розділеними діелектриками у воді // Доп. НАН України. – 2005. – Т. 1 – С. 76 – 81.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Вплив мікроструктури поверхні на потенціал взаємодії між наночастинками діелектриків // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2004. – Т. 2, Вип. 4. – С. 1145 – 1158.
Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. формування потенціального бар’єру між двома близько розділеними металами з субмоношаровим адсорбційним покриттям // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 3 – С. 471 – 475.
Ильченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко А.А. Роль микроструктуры поверхности в формировании потенциала взаимодействия между близкоразделенными вакуумным промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми) наночастицами // Химия, физика и технология поверхности. – 2006. – Вып. 11 – 12. – C. 4 – 19.
