Польова електронна емісія з п'єзоактивного SiO2

  • A. A. Dadykin Інститут фізики НАН України
  • A. G. Naumovetz Інститут фізики НАН України
  • P. P. Gorbic Інститут хімії поверхні НАН України
  • I. V. Dubrovin Інститут хімії поверхні НАН України
  • V. M. Ogenko Інститут хімії поверхні НАН України

Анотація

При средних электрических полях Е<103 В/см получена и исследована стационар­ная холодная электронная эмиссия из образцов SiO2, обладающего заметной пьезо­электрической активностью. Эмиссия стабильна при р>10‑5 Торр и характеризу­ется плотностью тока j>10 А/см . В случае заведомо непьезоактивных образцов из плавленого кварца и сапфира эмиссии не зарегистрировано даже при Е>106 В/см, Результаты объясняются большим (>100) усилением электрического поля у торцов пленок пъезоэлектриков, вследствие чего внутренние поля в приповерхно­стной области достигают значений ~ 10 В/см, достаточных для развития эф­фекта Зинера.

Посилання

Дадыкин A. A. // Письма в ЖЭТФ.- 1997.- 65, № 11, с. 823-827.

Опубліковано
1999-06-07
Як цитувати
Dadykin, A. A., Naumovetz, A. G., Gorbic, P. P., Dubrovin, I. V., & Ogenko, V. M. (1999). Польова електронна емісія з п’єзоактивного SiO2. Поверхня, (3), 51-54. вилучено із http://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/38