Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001)

  • Y. N. Kozyrev Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
  • V. S. Lysenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • Y. V. Gomeniuk нститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
  • O. S. Kondratenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • S. A. Iliash Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • S. V. Kondratenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка
DOI: https://doi.org/10.15407/Surface.2016.08.218

Анотація

Нанокристалічні плівки Ge та SiGe вирощені на поверхні Si(001) методом молекулярно-променевої епітаксії. Оптичні константи тонких плівок визначено методом багатокутової монохроматичної еліпсометрії. Оптичні властивості систем описано в моделі ефективного середовища Бруггемана. Показано, що зміна ефективних оптичних констант при нанесенні Si на поверхню нанокластерів Ge зумовлена поруватістю нанокристалічних плівок.

Посилання

1. Brunner K. Si/Ge nanostructures. Rep. Prog. Phys. 2002. 65(1): 27. https://doi.org/10.1088/0034-4885/65/1/202

2. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. (John Wiley & Sons, Ltd., Chichester, 1999).

3. Miesner C., Röthig O., Brunner K., Abstreiter G. Intra-valence band photocurrent spectroscopy of self-assembled Ge dots in Si. Appl. Phys. Lett. 2000. 76(8): 1027. https://doi.org/10.1063/1.125927

4. Teichert C. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. Phys. Rep. 2002. 365(5–6): 335. I. Berbezier I., Ronda A. SiGe nanostructures. Surf. Sci. Rep. 2009. 64(2): 47.

5. Lafontaine H., Rowell N.L., Janz S., Xu D.-X. Growth of undulating Si0.5Ge0.5 layers for photodetectors at λ = 1.55 μm. J. Appl. Phys. 1999. 86(3): 1287. https://doi.org/10.1063/1.370883

6. Barnham K.W.J., Duggan G. A new approach to high‐efficiency multi‐band‐gap solar cells. J. Appl. Phys. 1990. 67(7): 3490. https://doi.org/10.1063/1.345339

7. Floyd M., Zhang Y., Driver K.P., Drucker J., Crozier P.A., Smith D.J. Nanometer-scale composition measurements of Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 2003. 82(9): 1473. https://doi.org/10.1063/1.1558215

8. Schmidt O.G., Denker U., Christiansen S., Ernst F. Composition of self-assembled Ge/Si islands in single and multiple layers. Appl. Phys. Lett. 2002. 81(14): 2614. https://doi.org/10.1063/1.1507612

9. Kratzer M., Rubezhanska M., Prehal C., Beinik I., Kondratenko S.V., Kozyrev Yu.N., Teichert C. Electrical and photovoltaic properties of self-assembled Ge nanodomes on Si(001). Phys. Rev. B. 2012. 86(24): 245320. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.245320

10. Nonnenmacher M., O'Boyle M.P., Wickramasinghe H.K. Kelvin probe force microscopy. Appl. Phys. Lett. 1991. 58(25): 2921. https://doi.org/10.1063/1.105227

11. Lin Z., Brunkov P., Bassani F., Bremond G. Electrical study of trapped charges in nanoscale Ge islands by Kelvin probe force microscopy for nonvolatile memory applications. Appl. Phys. Lett. 2010. 97(26): 263112. https://doi.org/10.1063/1.3533259

12. Azzam R., Bashara N. Ellipsometriya i polyarizovannyy svet. (Moscow: Mir, 1981). [in Russian].

13. Antonyuk V.N., Dmitruk N.L., Medvedeva M.F. Ellipsometriya v nauke i tekhnike. (Novosibirsk: Nauka, 1987).

14. Bruggeman D.A.G. Berechnung verschiedener physikalischer Konstanten von heterogenen Substanzen. I. Dielektrizitätskonstanten und Leitfähigkeiten der Mischkörper aus isotropen Substanzen. Ann. Phys. 1935. 416(7): 636. https://doi.org/10.1002/andp.19354160705

surface 8(23)
Опубліковано
2016-10-06
Як цитувати
Kozyrev, Y. N., Lysenko, V. S., Gomeniuk, Y. V., Kondratenko, O. S., Iliash, S. A., & Kondratenko, S. V. (2016). Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001). Поверхня, (8(23), 218-222. https://doi.org/10.15407/Surface.2016.08.218
Номер
№ 8(23) (2016): Поверхня
Розділ
Наноматеріали і нанотехнології
  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.