Поверхневі явища у двовимірних структурах макропористого кремнію
Анотація
Представлені результати досліджень фотофізичних процесів у двовимірних структурах макропористого кремнію, зокрема фотопровідності та поглинання у ближній ІЧ-області спектру, які визначають функціональні можливості матеріалу.
Посилання
С.П. Зимин. Пористый кремний - материал с новыми свойствами // Сорос, образоват. - 2004. -Т. 8. -№ 1.-С. 101 - 107.
Crystal Orientation Dependence of Macropore Growth in n-Type Silicon / S. Rônnebeck, J. Carstensen, S. Ottow, H. Foil // Electrochem. Solid-State Lett. - 1999. - V. 2. - N 3.- P. 126-128.
Lehmann V. and Foil H.. Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon // J. Electrochem. Soc. - 1990. - V. 137. - N 2. - P. 653 - 659.
.4 Карачевцева Л.A., Литвиненко O.A., Маловичко Э.А.. Стабилизация процесса электрохимического формирования макропор в и-Si // Теор. и эксперим. химия. - 1998. - Т. 34.-N 5. - С. 314 - 318.
Исследование процесса электрохимического формирования макропор в кремнии / Л.А. Карачевцева, О.А. Литвиненко, Э.А. Маловичко, Е.И. Стронская // Теорет. и эксперим. химия. - 2000. - Т. 36. - N 3. - С. 193-197.
Парофазные реакции между твердофазными кремнием и углеродом / А.И. Харламов, Н.В. Кириллова, Л.А. Карачевцева, А.А. Харламова.// Теорет. и эксперим. химия. - 2003. - Т. 39. - N 6. - С. 362 - 367.
Karachevtseva LA.. Novel macroporous silicon structures as light emission and sensor elements //Proceedings of SPIE - 2001. -V. 4288. - P. 122-129.
Карачевцева Л.А., Литвиненко O.A., Стронская Е.И.. Исследование локальных химических состояний в структурах макропористого кремния // Теор. и эксперим. химия.-2003. -Т. 39.-N2.-С. 77-81.
Surface polaritons in 2D macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, N.I. Karas’, V.F. Onischenko, F.F. Sizov.// Int. J. Nanotechnology - 2006. - V. 3. - N 1. - P. 76 - 88.
Кутова залежність фотопровідності у двовимірних фотонних структурах макропористого кремнію / Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко. // Фізика і хімія тверд, тіла - 2004. - Т. 5. -N 2. - С. 241 - 246.
Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores / V.I. Ivanov, L.A. Karachevtseva, N.I. Karas, O.A. Lytvynenko, K.A. Parshin, A.V. Sachenko. // Semiconductor Phys. Quant.Electronics end Optoelectronics - 2007. - V. 10-N4.-P. 72- 76.
LElectrical properties of macroporous silicon structure / .A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, and O.J. Stronska. // Semiconductor Phys. Quantum Electronics end Optoelectronics - 2001. - V. 4 - N 1. - P. 40 - 43.
The impurity Franz-Keldysh effect in 2D photonic macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, V.I. Ivanova, O.A. Lytvynenkoa, K.A. Parshin O.J. Stronska. // App. Surf. Science. - 2008. - V. 255. - N 5. - P. 3328 - 3331.
L. Bolometric characteristics of macroporous silicon structures / .A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Phys. Quantum Electronics end Optoelectronics - 2001.-V.4-N3.-P. 177-181.
Патент України №80345, МІЖ (2006) G01J5/20 H01L 31/02, Л.А. Карачевцева, Ф.Ф. Сизов, Ю.В. Голтвянський, К.П. Конін, О.Й. Стронська, К.А. Паршин, О.О. Литвиненко, Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів. 10.09.07, Bron.N 14.
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи.
