Структура та властивості поруватого кремнію, що утворюється при електрохімічному розчиненні монокристала
Анотація
Досліджено структуру поруватого кремнію методами скануючої електронної мікроскопії (СЕМ) та атомної силової мікроскопії (АСМ) в залежності від режимів електрохімічного процесу розчинення монокристалічного кремнію р-типу. Встановлено, що при анодному розчиненні можливе утворення двохшарової нанопоруватої полімерної плівки кремнію, мікропоруватого шару з включеннями аморфного кремнію або полірованої поверхні кремнію.
Посилання
Свечников С.В., Саченко А.В., Сукач Г.А., Евстигнеев А.М., Каганович Э.Б. Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и пременение // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1994. - Вып. 27. - С.3-29.
Polishuk V., Souteyrand E., Martin J.R., Stricha V.I., Skyshevsky V.A. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon // Anal. Сhim. Аcta. – 1998. –V. 375. – P.205-210.
Beckmann K.N. Investigation of the chemical properties of stain films on silicon by means of infrared spectroscopy // Surface Sci. - 1965. – N 3. - P.314-332.
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физ. и техн. полупроводников. – 2000. – Т. 34. – С.1130–1134.
